DMTH8001STLWQ-13

DMTH8001STLWQ-13 Diodes Incorporated


DMTH8001STLWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+194.50 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8001STLWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH8001STLWQ-13 за ціною від 181.16 грн до 438.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8001STLWQ-13 DMTH8001STLWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth8001stlwq.pdf Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+200.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLWQ-13 DMTH8001STLWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.08 грн
10+283.37 грн
100+204.76 грн
500+191.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLWQ-13 DMTH8001STLWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.62 грн
10+312.93 грн
100+197.83 грн
1000+191.01 грн
1500+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLWQ-13 DMTH8001STLWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth8001stlwq.pdf Diodes Incorporated offers a portfolio of automotive MOSFETs packaged in the space saving, thermally efficient TOLL (PD1012S) package.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH8001STLWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 250W
Case: PowerDI1012-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH8001STLWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 250W
Case: PowerDI1012-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.