DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13 Diodes Incorporated


DMTH8003SPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8003SPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMTH8003SPS-13 за ціною від 54.39 грн до 156.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+91.61 грн
500+73.67 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8003SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V
на замовлення 11813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.08 грн
10+106.95 грн
100+77.54 грн
500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8003SPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.07 грн
10+116.71 грн
100+73.66 грн
500+64.06 грн
1000+59.15 грн
2500+54.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8003SPS-13 DMTH8003SPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.54 грн
10+126.30 грн
100+91.61 грн
500+73.67 грн
1000+64.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.