Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8003SPS-13

DMTH8003SPS-13 Diodes Incorporated

Name: DMTH8003SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 26753596-3
Price: 129250.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	51.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMTH8003SPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.9W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMTH8003SPS-13 за ціною від 48.24 грн до 130.45 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

DMTH8003SPS-13

DIODES INC.

DIOD-S-A0013889888-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	84.51 грн
500+	67.96 грн
1000+	59.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V

на замовлення 11813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.38 грн
10+	98.66 грн
100+	71.53 грн
500+	57.19 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 2123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	130.45 грн
10+	103.52 грн
100+	65.33 грн
500+	56.82 грн
1000+	52.46 грн
2500+	48.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH8003SPS-13

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8003SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3100 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 1439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	84.51 грн
500+	67.96 грн
1000+	59.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH8003SPS-13

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8952 pF @ 40 V

на замовлення 11813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	127.38 грн
10+	98.66 грн
100+	71.53 грн
500+	57.19 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH8003SPS-13

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V

на замовлення 2123 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	130.45 грн
10+	103.52 грн
100+	65.33 грн
500+	56.82 грн
1000+	52.46 грн
2500+	48.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.