Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8003STLWQ-13
DMTH8003STLWQ-13

DMTH8003STLWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH8003STLWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+83.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8003STLWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: POWERDI1012-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8191 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH8003STLWQ-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8003STLWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8003STLW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.