DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 155.07 грн |
| 500+ | 100.57 грн |
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Технічний опис DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH8004LPS-13 за ціною від 76.95 грн до 251.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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DMTH8004LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DMTH8004LPS-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerDI5060
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 251.06 грн |
| 10+ | 159.99 грн |
| 100+ | 109.94 грн |
| 500+ | 76.95 грн |