DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 105.09 грн |
| 500+ | 77.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH8004LPS-13 за ціною від 77.12 грн до 202.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8004LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 2.9W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
DMTH8004LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4979 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
DMTH8004LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| DMTH8004LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 2.9W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |