Продукція > DIODES INC. > DMTH8008LFG-7
DMTH8008LFG-7

DMTH8008LFG-7 DIODES INC.

DMTH8008LFG.pdf
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.30 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8008LFG-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMTH8008LFG-7 за ціною від 35.50 грн до 41.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8008LFG-7 DMTH8008LFG-7 DIODES INC. DMTH8008LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.52 грн
21+40.45 грн
100+39.30 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008LFG-7 DMTH8008LFG.pdf
DMTH8008LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+41.52 грн
21+40.45 грн
100+39.30 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.