DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH8008LFGQ-13 за ціною від 34.53 грн до 139.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K |
на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH8008LFGQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH8008LFGQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMTH8008LFGQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.23 грн |
| 500+ | 48.00 грн |
| 1000+ | 41.28 грн |
| DMTH8008LFGQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.71 грн |
| 10+ | 84.92 грн |
| 100+ | 50.14 грн |
| 500+ | 39.73 грн |
| 1000+ | 36.99 грн |
| 3000+ | 34.53 грн |
| DMTH8008LFGQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.12 грн |
| 10+ | 80.83 грн |
| 100+ | 54.53 грн |
| 500+ | 40.57 грн |
| 1000+ | 37.76 грн |
| DMTH8008LFGQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH8008LFGQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 5300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 139.48 грн |
| 10+ | 95.99 грн |
| 100+ | 65.23 грн |
| 500+ | 48.00 грн |
| 1000+ | 41.28 грн |