Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8008LFGQ-13
DMTH8008LFGQ-13

DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated

DMTH8008LFGQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8008LFGQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH8008LFGQ-13 за ціною від 37.32 грн до 134.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8008LFGQ-13 DMTH8008LFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.68 грн
10+82.58 грн
100+55.92 грн
500+41.61 грн
1000+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008LFGQ-13 DMTH8008LFGQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.78 грн
10+91.78 грн
100+54.19 грн
500+42.94 грн
1000+39.98 грн
3000+37.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008LFGQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH8008LFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 12A; Idm: 280A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.