Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8008LFGQ-7
DMTH8008LFGQ-7

DMTH8008LFGQ-7 Diodes Incorporated

DMTH8008LFGQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.45 грн
10+87.44 грн
100+58.97 грн
500+43.88 грн
1000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8008LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH8008LFGQ-7 за ціною від 35.61 грн до 119.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8008LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012955729_1-2513006.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.30 грн
10+80.29 грн
100+48.92 грн
500+39.73 грн
1000+36.64 грн
2000+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH8008LFGQ.pdf DMTH8008LFGQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8008LFGQ-7 DMTH8008LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8008LFGQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.