DMTH8008SFGQ-7

DMTH8008SFGQ-7 Diodes Incorporated


DMTH8008SFGQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+36.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8008SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH8008SFGQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8008SFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114868_1-2543466.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.