DMTH8008SPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.88 грн |
| 500+ | 64.99 грн |
| 1000+ | 58.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8008SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 92A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH8008SPSQ-13 за ціною від 58.50 грн до 96.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8008SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8008SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 92 A, 0.0065 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 92A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMTH8008SPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
80V 175 Degree C N-Channel Enhancement Mode MOSFET Power Di5060-8 Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DMTH8008SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMTH8008SPSQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DMTH8008SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMTH8008SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |