DMTH8012LK3-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 42.22 грн |
| 500+ | 29.00 грн |
| 1000+ | 24.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8012LK3-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH8012LK3-13 за ціною від 24.40 грн до 97.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8012LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A |
на замовлення 2673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMTH8012LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 |
товару немає в наявності |