DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 32.23 грн |
| 5000+ | 30.53 грн |
| 7500+ | 30.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH8012LK3Q-13 за ціною від 32.99 грн до 54.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 131494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A |
на замовлення 10175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMTH8012LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH8012LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.48 грн |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 38.48 грн |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 40.22 грн |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.48 грн |
| 25+ | 52.46 грн |
| 100+ | 39.79 грн |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 131494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 54.24 грн |
| 10+ | 46.49 грн |
| 100+ | 40.51 грн |
| 500+ | 34.69 грн |
| 1000+ | 32.99 грн |
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
MOSFETs 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH8012LK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)