DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.12 грн |
| 5000+ | 25.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH8012LPSQ-13 за ціною від 26.72 грн до 78.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 127500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 183508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |