DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.44 грн |
| 5000+ | 23.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8012LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH8012LPSQ-13 за ціною від 25.48 грн до 64.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 183508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH8012LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMTH8012LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH8012LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH8012LPSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2051 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 183508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.32 грн |
| 10+ | 41.27 грн |
| 100+ | 31.85 грн |
| 500+ | 27.99 грн |
| 1000+ | 25.48 грн |
| DMTH8012LPSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH8012LPSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH8012LPSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH8012LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.0123 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)