Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8012LPSW-13
DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated

DMTH8012LPSW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.30 грн
5000+23.15 грн
7500+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V.

Інші пропозиції DMTH8012LPSW-13 за ціною від 22.89 грн до 88.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Виробник : Diodes Zetex dmth8012lpsw.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1949 pF @ 40 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.81 грн
10+57.24 грн
100+38.06 грн
500+27.89 грн
1000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH8012LPSW.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 61V-100V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.25 грн
10+62.50 грн
100+36.91 грн
500+29.41 грн
1000+26.76 грн
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH8012LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8012LPSW-13 DMTH8012LPSW-13 Виробник : Diodes Zetex dmth8012lpsw.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.