DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 89.13 грн |
| 500+ | 75.48 грн |
| 1000+ | 62.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH84M1SPSQ-13 за ціною від 62.89 грн до 180.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH84M1SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMTH84M1SPSQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMTH84M1SPSQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |