DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated


DMWS120H100SM4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1346.73 грн
30+817.85 грн
120+763.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated

Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції DMWS120H100SM4 за ціною від 1017.64 грн до 1636.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMWS120H100SM4 DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated DMWS120H100SM4.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1636.46 грн
10+1017.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4 DMWS120H100SM4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
на замовлення 25 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1636.46 грн
10+1017.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.