DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 698.92 грн |
| 10+ | 634.30 грн |
| 50+ | 467.68 грн |
| 100+ | 427.59 грн |
| 500+ | 376.37 грн |
| 1000+ | 339.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWSH120H90SCT7 Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DMWSH120H90SCT7 за ціною від 439.46 грн до 439.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H90SCT7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: SICFET N-CH 1200V TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54.6 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1078 pF @ 1000 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|