DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 841.13 грн |
| 10+ | 710.67 грн |
| 30+ | 560.59 грн |
| 120+ | 514.24 грн |
| 270+ | 484.08 грн |
| 510+ | 453.92 грн |
| 1020+ | 408.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 246W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DMWSH120H90SM3 за ціною від 659.14 грн до 659.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H90SM3 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|