DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 740.04 грн |
| 30+ | 496.95 грн |
| 120+ | 458.25 грн |
| 510+ | 409.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWSH120H90SM3 Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247, Packaging: Tube, Supplier Device Package: TO-247, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Power Dissipation (Max): 246W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.9 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V.
Інші пропозиції DMWSH120H90SM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMWSH120H90SM3 | Diodes Incorporated |
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMWSH120H90SM3 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)