DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: SICFET N-CH 1200V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V
на замовлення 120320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 779.55 грн |
| 30+ | 523.48 грн |
| 120+ | 482.71 грн |
| 510+ | 431.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWSH120H90SM4 Diodes Incorporated
Description: SICFET N-CH 1200V TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51.1 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DMWSH120H90SM4 за ціною від 470.87 грн до 817.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMWSH120H90SM4 | Виробник : Diodes Incorporated |
SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|