Технічний опис DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K.
Інші пропозиції DN0150BLP4-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3 |
на замовлення 17785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
DN0150BLP4-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DN0150BLP4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DN0150BLP4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DN0150BLP4-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
Description: TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.




