
DN2450N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.51 грн |
25+ | 55.00 грн |
100+ | 49.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2450N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN2450N8-G за ціною від 47.60 грн до 78.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 230mA; Idm: 0.9A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 230mA; Idm: 0.9A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.23A Pulsed drain current: 0.9A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DN2450N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 300mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |