DN2530N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 44.02 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2530N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN2530N8-G за ціною від 40.88 грн до 75.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 3225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2530N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 300V 12Ohm |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2530N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 0.5A; 740mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.74W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Manufacturer standard package: 2000pcs. |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.39 грн |
| 25+ | 48.87 грн |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 300V 12Ohm
MOSFETs 300V 12Ohm
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 64.59 грн |
| 25+ | 54.25 грн |
| 2000+ | 40.88 грн |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 0.5A; 740mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 0.5A; 740mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.74W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 65.20 грн |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 72.25 грн |
| 2000+ | 70.80 грн |
| 4000+ | 70.69 грн |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 75.01 грн |
| 25+ | 72.51 грн |
| DN2530N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





