DN2530N8-G

DN2530N8-G Microchip Technology


20005451A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN2530N8-G Microchip Technology

Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DN2530N8-G за ціною від 40.29 грн до 73.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn2530.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+54.8 грн
18+ 47.17 грн
25+ 45.09 грн
47+ 44.4 грн
100+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 20005451A.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.35 грн
25+ 46.75 грн
100+ 41.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.68 грн
25+ 60.52 грн
100+ 56.28 грн
250+ 50.18 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 44.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology supertex_dn2530-1181320.pdf MOSFET 300V 12Ohm
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.55 грн
25+ 52 грн
100+ 40.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 173
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
172+68.17 грн
173+ 67.5 грн
180+ 65.18 грн
186+ 60.6 грн
250+ 54.04 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 172
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+68.52 грн
4000+ 66.68 грн
6000+ 65.02 грн
8000+ 61.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn2530.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.51 грн
5+ 68.29 грн
18+ 56.6 грн
25+ 54.11 грн
47+ 53.27 грн
100+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN2530N8-G DN2530N8-G Виробник : Microchip Technology 129120005451a.pdf Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній