DN2535N3-G-P003 Microchip Technology
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.07 грн |
| 25+ | 60.61 грн |
| 100+ | 48.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2535N3-G-P003 Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN2535N3-G-P003 за ціною від 56.25 грн до 76.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN2535N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2535N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 350V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DN2535N3-G-P003 | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
| DN2535N3-G-P003 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 350V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |