DN2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Pulsed drain current: 0.5A
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.01 грн |
| 14+ | 28.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2535N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN2535N3-G за ціною від 33.96 грн до 94.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DN2535N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Drain current: 0.12A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Pulsed drain current: 0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 356 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 25Ohm |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DN2535N3-G Код товару: 189197
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DN2535N3-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |