Інші пропозиції DN2535N3-G за ціною від 32.85 грн до 88.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DN2535N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Manufacturer standard package: 1000pcs. Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Drain current: 0.12A Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 350V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: bulk Case: TO92 On-state resistance: 25Ω Mounting: THT |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2535N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2535N3-G | Microchip Technology |
MOSFETs 350V 25Ohm |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2535N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
DN2535N3-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DN2535N3-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 350V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 350V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 25Ω
Mounting: THT
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 40.51 грн |
| 29+ | 32.85 грн |
| DN2535N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.50 грн |
| 25+ | 50.65 грн |
| 100+ | 46.71 грн |
| DN2535N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 25Ohm
MOSFETs 350V 25Ohm
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.67 грн |
| 25+ | 56.40 грн |
| 100+ | 45.26 грн |
| DN2535N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 88.92 грн |
| DN2535N3-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 165+ | 88.92 грн |






