
DN2540N3-G Microchip Technology
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 59.40 грн |
18+ | 34.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2540N3-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 120 mA, 17 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN2540N3-G за ціною від 50.45 грн до 105.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: THT Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 637 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
DN2540N3-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |