DN2625DK6-G Microchip Technology
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 490+ | 184.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2625DK6-G Microchip Technology
Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN, Packaging: Tray, Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V, FET Feature: Depletion Mode, Supplier Device Package: 8-DFN (5x5), Part Status: Active.
Інші пропозиції DN2625DK6-G за ціною від 147.84 грн до 282.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
.jpg "DN2625DK6-G") |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN Packaging: Tray Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: 8-DFN (5x5) Part Status: Active |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET N-CHANNEL DEPLETION MODE |
на замовлення 23695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 5390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; DFN8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.1A Mounting: SMD Case: DFN8 Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 490 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; DFN8 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.1A Mounting: SMD Case: DFN8 Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |