Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN2625DK6-G
DN2625DK6-G

DN2625DK6-G Microchip Technology

dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
на замовлення 5074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+201.37 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN2625DK6-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN2625DK6-G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 250V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.5ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 250V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DN2625 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DN2625DK6-G за ціною від 163.75 грн до 365.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+212.56 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN
Packaging: Tray
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V
FET Feature: Depletion Mode
Supplier Device Package: 8-DFN (5x5)
Part Status: Active
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.09 грн
25+188.46 грн
100+170.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+235.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : MICROCHIP 2607055.pdf Description: MICROCHIP - DN2625DK6-G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 250V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.5ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 250V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DN2625 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.72 грн
25+216.71 грн
100+202.32 грн
490+169.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology 20005537B-3443363.pdf MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
на замовлення 22610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.55 грн
25+208.27 грн
100+163.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+365.79 грн
43+289.49 грн
50+273.87 грн
130+239.46 грн
250+220.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 3.3A
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625DK6-G DN2625DK6-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 3.3A
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.