DN2625DK6-G Microchip Technology
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 203.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2625DK6-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2625DK6-G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 250V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 250V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: DN2625 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DN2625DK6-G за ціною від 111.93 грн до 414.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN Packaging: Tray Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04nC @ 1.5V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: 8-DFN (5x5) Part Status: Active |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625DK6-G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 250 V, 1.1 A, 1.1 A, 3.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 250V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 250V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: DN2625 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE |
на замовлення 22519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DN2625DK6-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 8-Pin DFN EP Tray |
товару немає в наявності |