DN2625K4-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 88.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2625K4-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN2625K4-G за ціною від 82.09 грн до 143.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN2625K4-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 19441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 3.3A |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |