Продукція > MICROCHIP > DN2625K4-G
DN2625K4-G

DN2625K4-G MICROCHIP

2607055.pdf Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN2625K4-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DN2625K4-G за ціною від 81.50 грн до 141.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.28 грн
25+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+117.03 грн
500+115.11 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology 20005537B-3443363.pdf MOSFETs 250V 3.3A
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.25 грн
25+101.53 грн
100+81.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : MICROCHIP 2607055.pdf Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.21 грн
25+109.20 грн
100+100.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+141.96 грн
10+139.86 грн
25+137.77 грн
100+130.82 грн
250+119.26 грн
500+112.69 грн
1000+110.90 грн
3000+109.10 грн
6000+107.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; 2.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology dn2625dk6-g_2017-06-01_09-01-562.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005537B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; Idm: 3.3A; 2.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 3.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.