DN2625K4-G Microchip Technology
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 94.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2625K4-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN2625K4-G за ціною від 87.34 грн до 131.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN2625K4-G | Виробник : MICROCHIP |
 Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 21925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 3.3A |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
| DN2625K4-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
DN2625K4-G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||||
 |
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
DN2625K4-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |