Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN2625K4-G
DN2625K4-G

DN2625K4-G Microchip Technology

20005537B.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN2625K4-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції DN2625K4-G за ціною від 74.39 грн до 113.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DN2625K4-G DN2625K4-G MICROCHIP 2607055.pdf Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Microchip Technology 20005537B.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
25+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G Microchip Technology 20005537B-3443363.pdf MOSFETs 250V 3.3A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.51 грн
25+92.68 грн
100+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G DN2625K4-G MICROCHIP 2607055.pdf Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.31 грн
25+107.68 грн
100+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G 2607055.pdf
DN2625K4-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G 20005537B.pdf
DN2625K4-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 18633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+107.71 грн
25+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G 20005537B-3443363.pdf
DN2625K4-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 250V 3.3A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+112.51 грн
25+92.68 грн
100+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN2625K4-G 2607055.pdf
DN2625K4-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DN2625
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+113.31 грн
25+107.68 грн
100+102.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.