DN3135K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3135K1-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN3135K1-G за ціною від 37.50 грн до 79.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 33959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 35Ohm |
на замовлення 29914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 72mA; Idm: 0.3A; 360mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 350V Drain current: 72mA On-state resistance: 35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar |
на замовлення 279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 72mA; Idm: 0.3A; 360mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT23-3 Drain-source voltage: 350V Drain current: 72mA On-state resistance: 35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |