Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN3135K1-G
DN3135K1-G

DN3135K1-G Microchip Technology

20005703A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+37.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3135K1-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm.

Інші пропозиції DN3135K1-G за ціною від 34.23 грн до 70.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DN3135K1-G DN3135K1-G Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.30 грн
25+39.25 грн
100+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G Microchip Technology 20005703A.pdf MOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 10656 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+51.94 грн
25+43.08 грн
3000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.84 грн
25+65.70 грн
50+62.25 грн
100+56.62 грн
250+53.38 грн
500+52.40 грн
1000+51.42 грн
3000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+70.32 грн
1000+68.65 грн
3000+66.85 грн
6000+62.81 грн
9000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G MICROCHIP 20005703A.pdf Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G DN3135K1-G MICROCHIP 20005703A.pdf Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 20005703A.pdf
DN3135K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 10845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.30 грн
25+39.25 грн
100+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 20005703A.pdf
DN3135K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 10656 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.94 грн
25+43.08 грн
3000+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf
DN3135K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.84 грн
25+65.70 грн
50+62.25 грн
100+56.62 грн
250+53.38 грн
500+52.40 грн
1000+51.42 грн
3000+50.45 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf
DN3135K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+68.53 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf
DN3135K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+70.32 грн
1000+68.65 грн
3000+66.85 грн
6000+62.81 грн
9000+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 20005703A.pdf
DN3135K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135K1-G 20005703A.pdf
DN3135K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.