DN3135K1-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 35.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3135K1-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN3135K1-G за ціною від 32.83 грн до 78.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 129376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 350V 35Ohm |
на замовлення 36399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm |
на замовлення 4758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3135K1-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3135K1-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |