DN3135N8-G MICROCHIP
Виробник: MICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.35 грн |
| 2000+ | 47.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3135N8-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 42.02 грн до 69.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 2266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 35Ohm |
на замовлення 4176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Виробник : SUPERTEX |
|
на замовлення 3790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |