DN3135N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 44.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3135N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 41.71 грн до 67.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 15243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 35Ohm |
на замовлення 4729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Виробник : SUPERTEX |
|
на замовлення 3790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
DN3135N8-G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |