Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN3135N8-G
DN3135N8-G

DN3135N8-G Microchip Technology

20005703A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3135N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 39.79 грн до 66.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.57 грн
2000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 15243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.49 грн
25+50.25 грн
100+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A-3443384.pdf MOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.64 грн
25+51.69 грн
100+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.96 грн
25+63.95 грн
100+60.71 грн
250+55.31 грн
500+52.25 грн
1000+51.38 грн
3000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.81 грн
25+56.12 грн
100+49.57 грн
2000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+66.90 грн
4000+65.18 грн
6000+63.41 грн
8000+59.62 грн
10000+53.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G Виробник : SUPERTEX 20005703A.pdf
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005703A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 135mA; Idm: 0.3A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 135mA
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY 20005703A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 135mA; Idm: 0.3A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 135mA
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.