на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN350T05-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції DN350T05-7 за ціною від 2.42 грн до 30.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN350T05-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 97929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR |
на замовлення 5586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
DN350T05-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |