Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN3525N8-G
DN3525N8-G

DN3525N8-G Microchip Technology

778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3525N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DN3525N8-G за ціною від 44.77 грн до 70.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP 1854669.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.43 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.75 грн
25+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+63.83 грн
25+62.86 грн
100+59.68 грн
250+54.40 грн
500+51.39 грн
1000+50.56 грн
3000+49.73 грн
6000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+67.36 грн
4000+66.73 грн
6000+66.09 грн
8000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP 1854669.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.49 грн
25+58.47 грн
100+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology DN3525_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_-3443831.pdf MOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 115774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.72 грн
25+59.41 грн
100+49.75 грн
250+49.59 грн
500+49.44 грн
1000+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G
Код товару: 165361
Додати до обраних Обраний товар

DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.