DN3525N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 46.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3525N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DN3525N8-G за ціною від 42.52 грн до 75.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 7480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 6Ohm |
на замовлення 100274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DN3525N8-G Код товару: 165361
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Kind of channel: depletion Case: SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape On-state resistance: 6Ω Drain current: 0.36A Pulsed drain current: 1A Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 250V Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |