Інші пропозиції DN3525N8-G за ціною від 60.61 грн до 79.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 250V 6Ohm |
на замовлення 2452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DN3525N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 63.00 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 63.00 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 67.59 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 70.71 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 77.54 грн |
| 4000+ | 76.81 грн |
| 6000+ | 76.07 грн |
| 8000+ | 72.53 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 79.13 грн |
| 25+ | 77.93 грн |
| 100+ | 73.98 грн |
| 250+ | 67.44 грн |
| 500+ | 63.71 грн |
| 1000+ | 62.67 грн |
| 3000+ | 61.64 грн |
| 6000+ | 60.61 грн |
| DN3525N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 250V 6Ohm
MOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DN3525N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DN3525N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





