DN3525N8-G

DN3525N8-G Microchip Technology


DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3525N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DN3525N8-G за ціною від 42.41 грн до 74.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.48 грн
2000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
25+50.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+63.21 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf MOSFETs 250V 6Ohm
на замовлення 105153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.12 грн
25+56.38 грн
100+43.78 грн
1000+42.49 грн
10000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+67.69 грн
4000+67.05 грн
6000+66.41 грн
8000+63.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.53 грн
25+60.96 грн
100+54.48 грн
2000+49.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+74.01 грн
25+72.88 грн
100+69.19 грн
250+63.07 грн
500+59.58 грн
1000+58.62 грн
3000+57.65 грн
6000+56.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G
Код товару: 165361
Додати до обраних Обраний товар

DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : Microchip Technology 778024718687910filehandler.aspxddocnameen570588.aspxddocnameen570588.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DN3525N8-G DN3525N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY DN3525-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005705A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 360mA; Idm: 1A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Case: SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
On-state resistance:
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.