Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > DN3535N8-G
DN3535N8-G

DN3535N8-G Microchip Technology

DN3535%20A062713.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.66 грн
25+49.34 грн
100+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3535N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DN3535N8-G за ціною від 54.23 грн до 96.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DN3535N8-G DN3535N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY dn3535.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.13 грн
17+57.51 грн
25+55.05 грн
45+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.72 грн
11+74.94 грн
25+74.15 грн
100+70.75 грн
250+64.81 грн
500+61.54 грн
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
188+75.72 грн
190+74.94 грн
192+74.15 грн
194+70.75 грн
250+64.81 грн
500+61.54 грн
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+88.04 грн
8000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology dn3535a062713.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G Microchip Technology supertex_dn3535.pdf MOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G MICROCHIP DN3535%20A062713.pdf Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G MICROCHIP DN3535%20A062713.pdf Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0013078466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - MOSFET, N CHANNEL, 350V, 0.23A, SOT-89-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535.pdf
DN3535N8-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.13 грн
17+57.51 грн
25+55.05 грн
45+54.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+70.32 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+75.72 грн
11+74.94 грн
25+74.15 грн
100+70.75 грн
250+64.81 грн
500+61.54 грн
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
188+75.72 грн
190+74.94 грн
192+74.15 грн
194+70.75 грн
250+64.81 грн
500+61.54 грн
1000+60.87 грн
Мінімальне замовлення: 188 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+88.04 грн
8000+80.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G dn3535a062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+96.58 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G supertex_dn3535.pdf
DN3535N8-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 1974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535%20A062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G DN3535%20A062713.pdf
DN3535N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3535N8-G MCHP-S-A0013078466-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DN3535N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - MOSFET, N CHANNEL, 350V, 0.23A, SOT-89-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.