
DN3535N8-G Microchip Technology
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 56.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3535N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN3535N8-G за ціною від 47.23 грн до 83.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 14354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W Mounting: SMD Case: SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 10Ω Drain current: 0.23A Drain-source voltage: 350V Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W Mounting: SMD Case: SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 10Ω Drain current: 0.23A Drain-source voltage: 350V Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |