DN3535N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 230mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.23A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.04 грн |
| 25+ | 54.22 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3535N8-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DN3535N8-G за ціною від 44.52 грн до 99.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
MOSFETs 350V 10Ohm |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DN3535N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DN3535N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DN3535N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - MOSFET, N CHANNEL, 350V, 0.23A, SOT-89-3tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - Unlimited Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 0V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 350V 10Ohm
MOSFETs 350V 10Ohm
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.79 грн |
| 25+ | 56.46 грн |
| 100+ | 48.42 грн |
| 2000+ | 44.52 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 72.51 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 73.23 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 73.23 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.08 грн |
| 11+ | 77.27 грн |
| 25+ | 76.46 грн |
| 100+ | 72.95 грн |
| 250+ | 66.82 грн |
| 500+ | 63.46 грн |
| 1000+ | 62.77 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 78.08 грн |
| 190+ | 77.27 грн |
| 192+ | 76.46 грн |
| 194+ | 72.95 грн |
| 250+ | 66.82 грн |
| 500+ | 63.46 грн |
| 1000+ | 62.77 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 90.78 грн |
| 8000+ | 82.95 грн |
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 147+ | 99.58 грн |
| DN3535N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DN3535N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DN3535N8-G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - MOSFET, N CHANNEL, 350V, 0.23A, SOT-89-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - MOSFET, N CHANNEL, 350V, 0.23A, SOT-89-3
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






