DN3545N3-G MICROCHIP


1856832.pdf
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+61.32 грн
25+52.96 грн
100+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3545N3-G MICROCHIP

Description: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 450V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 136mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції DN3545N3-G за ціною від 45.19 грн до 68.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DN3545N3-G DN3545N3-G Microchip Technology DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.32 грн
25+52.32 грн
100+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G DN3545N3-G Microchip Technology DN3545_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_-3443598.pdf MOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.71 грн
25+57.19 грн
100+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G DN3545-N-Channel-Depletion-Mode-Vertical-DMOS-FET-Data-Sheet-20005438A.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Bag
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+64.32 грн
25+52.32 грн
100+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DN3545N3-G DN3545_N_Channel_Depletion_Mode_Vertical_DMOS_FET_-3443598.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 450V 20Ohm
на замовлення 3310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.71 грн
25+57.19 грн
100+45.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.