Продукція > IXYS > DNA30E2200FE
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 370A
Max. forward voltage: 1.22V
Power dissipation: 110W
Features of semiconductor devices: high voltage
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Type of diode: rectifying
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+614.31 грн
3+522.35 грн
10+427.83 грн
25+420.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DNA30E2200FE IXYS

Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-2, IPAK, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: i4-PAC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.

Інші пропозиції DNA30E2200FE за ціною від 442.04 грн до 643.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DNA30E2200FE DNA30E2200FE IXYS Littelfuse_Power_Semiconductors_DNA30E2200FE_Datasheet.pdf Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-2, IPAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: i4-PAC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.17 грн
25+494.05 грн
100+442.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE Littelfuse_Power_Semiconductors_DNA30E2200FE_Datasheet.pdf
DNA30E2200FE
Виробник: IXYS
Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DNA30E2200FE media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet
Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-2, IPAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: i4-PAC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+643.17 грн
25+494.05 грн
100+442.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.