на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 665.60 грн |
| 10+ | 525.19 грн |
| 100+ | 399.08 грн |
| 250+ | 380.34 грн |
| 500+ | 355.36 грн |
| 1000+ | 331.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNA30E2200FE IXYS
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-2, IPAK, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: i4-PAC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.
Інші пропозиції DNA30E2200FE за ціною від 445.41 грн до 648.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DNA30E2200FE | Виробник : IXYS |
 Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PACPackaging: Tube Package / Case: TO-251-2, IPAK Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: i4-PAC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|