
DNA30EM2200PZ-TUB Littelfuse
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNA30EM2200PZ-TUB Littelfuse
Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263HV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263HV, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.
Інші пропозиції DNA30EM2200PZ-TUB за ціною від 210.21 грн до 432.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DNA30EM2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNA30EM2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-263HV Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.26 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
DNA30EM2200PZ-TUB | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
DNA30EM2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 30A Max. forward impulse current: 315A Max. forward voltage: 1.24V Case: TO263ABHV Power dissipation: 210W Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: high voltage Type of diode: rectifying Kind of package: tube кількість в упаковці: 1400 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
DNA30EM2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W Max. off-state voltage: 2.2kV Load current: 30A Max. forward impulse current: 315A Max. forward voltage: 1.24V Case: TO263ABHV Power dissipation: 210W Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: high voltage Type of diode: rectifying Kind of package: tube |
товару немає в наявності |