Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNBT8105-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DNBT8105-7 за ціною від 3.02 грн до 34.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNBT8105-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 0.6W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 86722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1A |
на замовлення 43938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DNBT8105-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DNBT8105-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1811 шт В кошику од. на суму грн. |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1811+ | 3.02 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4621+ | 3.06 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.15 грн |
| 15000+ | 3.04 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.01 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.30 грн |
| 9000+ | 6.01 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 600mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 19.47 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 86722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.02 грн |
| 16+ | 20.04 грн |
| 25+ | 16.58 грн |
| 50+ | 13.54 грн |
| 100+ | 11.83 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1A
Bipolar Transistors - BJT 1A
на замовлення 43938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






