на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1811+ | 2.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNBT8105-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DNBT8105-7 за ціною від 2.14 грн до 18.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2028000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 2133000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 2134751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1A |
на замовлення 119309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DNBT8105-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DNBT8105-7 NPN SMD transistors |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |