Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNBT8105-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DNBT8105-7 за ціною від 1.82 грн до 17.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 511983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 600 mW |
на замовлення 511983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 1A |
на замовлення 43938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DNBT8105-7 | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1811 шт В кошику од. на суму грн. |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1811+ | 3.03 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4621+ | 3.06 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.16 грн |
| 15000+ | 3.05 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 511983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.57 грн |
| 6000+ | 3.09 грн |
| 9000+ | 2.91 грн |
| 15000+ | 2.54 грн |
| 21000+ | 2.43 грн |
| 30000+ | 2.32 грн |
| 75000+ | 2.04 грн |
| 150000+ | 1.90 грн |
| 300000+ | 1.82 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.03 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 600 mW
на замовлення 511983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.82 грн |
| 30+ | 10.22 грн |
| 100+ | 6.37 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.88 грн |
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 1A
Bipolar Transistors - BJT 1A
на замовлення 43938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DNBT8105-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 600 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DNBT8105-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 60V 1A 600mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





