DNLS160V-7

DNLS160V-7 Diodes Incorporated


DNLS160V.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.3W
на замовлення 3139 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.03 грн
25+13.01 грн
100+7.54 грн
1000+5.80 грн
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DNLS160V-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-563, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 300 mW.

Інші пропозиції DNLS160V-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DNLS160V-7 DNLS160V-7 Виробник : Diodes Incorporated DNLS160V.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.