DNLS350E-13

DNLS350E-13 Diodes Incorporated


ds31231.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 37500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.42 грн
5000+7.37 грн
7500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DNLS350E-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції DNLS350E-13 за ціною від 6.41 грн до 45.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31231.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 1W
на замовлення 30741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.93 грн
13+26.73 грн
100+14.87 грн
500+8.83 грн
1000+8.15 грн
2500+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31231.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 290mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 39463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.71 грн
12+26.96 грн
100+17.19 грн
500+12.18 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350E-13 DNLS350E-13 Виробник : Diodes Inc 5602996011663011ds31231.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DNLS350E-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31231.pdf DNLS350E-13 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.