DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 450 mW
на замовлення 2250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.38 грн |
| 6000+ | 10.02 грн |
| 9000+ | 9.54 грн |
| 15000+ | 8.45 грн |
| 21000+ | 8.15 грн |
| 30000+ | 7.86 грн |
| 75000+ | 7.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DP0150BLP4-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 450 mW.
Інші пропозиції DP0150BLP4-7 за ціною від 7.93 грн до 51.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DP0150BLP4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 450 mW |
на замовлення 2254830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DP0150BLP4-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT |
на замовлення 5295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DP0150BLP4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R |
на замовлення 2253000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DP0150BLP4-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R |
товару немає в наявності |
