
DPG120C300QB IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG120C300QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, leistungsstark, 300 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassstoßstrom: 550A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DPG12
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 711.33 грн |
5+ | 661.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DPG120C300QB IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG120C300QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, leistungsstark, 300 V, 60 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-3P, Durchlassstoßstrom: 550A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.4V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DPG12, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DPG120C300QB за ціною від 401.45 грн до 879.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DPG120C300QB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 60Ax2; tube; Ifsm: 450A; TO3P; 275W Max. off-state voltage: 300V Max. forward voltage: 1.4V Load current: 60A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 0.45kA Power dissipation: 275W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen Mounting: THT Case: TO3P |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DPG120C300QB | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 300 V |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DPG120C300QB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
DPG120C300QB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 60Ax2; tube; Ifsm: 450A; TO3P; 275W Max. off-state voltage: 300V Max. forward voltage: 1.4V Load current: 60A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 0.45kA Power dissipation: 275W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen Mounting: THT Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|