Продукція > IXYS > DPG30C300PB
DPG30C300PB

DPG30C300PB IXYS


media-3322859.pdf Виробник: IXYS
Diodes - General Purpose, Power, Switching 30 Amps 300V
на замовлення 1015 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.85 грн
10+ 188.39 грн
100+ 140.51 грн
250+ 135.85 грн
500+ 129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DPG30C300PB IXYS

Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO220AB; 90W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Max. forward voltage: 1.26V, Power dissipation: 90W, Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen, Features of semiconductor devices: fast switching, Max. off-state voltage: 300V, Heatsink thickness: 1.14...1.39mm, Load current: 15A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Type of diode: rectifying, Reverse recovery time: 35ns, Max. forward impulse current: 240A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції DPG30C300PB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DPG30C300PB DPG30C300PB Виробник : IXYS DPG30C300PB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO220AB; 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.26V
Power dissipation: 90W
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 300V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 240A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DPG30C300PB DPG30C300PB Виробник : IXYS DPG30C300PB.pdf Description: DIODE ARRAY GP 300V 15A TO220AB
товар відсутній
DPG30C300PB DPG30C300PB Виробник : IXYS DPG30C300PB.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 15Ax2; tube; Ifsm: 240A; TO220AB; 90W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.26V
Power dissipation: 90W
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Features of semiconductor devices: fast switching
Max. off-state voltage: 300V
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 240A
товар відсутній