DPG60C200QB IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO3P
Max. forward voltage: 1.34V
Max. forward impulse current: 360A
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 35ns
Power dissipation: 160W
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 352.40 грн |
| 5+ | 179.32 грн |
| 14+ | 170.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DPG60C200QB IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-3P, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.06V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DPG60, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DPG60C200QB за ціною від 204.15 грн до 489.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: TO3P Max. forward voltage: 1.34V Max. forward impulse current: 360A Kind of package: tube Reverse recovery time: 35ns Power dissipation: 160W Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Amps 200V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-3P Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.06V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DPG60 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : Littelfuse |
Rectifier Diode Switching 200V 60A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |