DPG60C200QB IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-3P
Durchlassstoßstrom: 300A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.06V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DPG60
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 440.80 грн |
| 10+ | 390.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DPG60C200QB IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-3P, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.06V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DPG60, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 200V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DPG60C200QB за ціною від 194.36 грн до 505.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 30A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Supplier Device Package: TO-3P Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Amps 200V |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
DPG60C200QB THT universal diodes |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
DPG60C200QB | Виробник : Littelfuse |
Rectifier Diode Switching 200V 60A 35ns 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товару немає в наявності |