DRDNB16W-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Resistors Included: R1 and R2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Supplier Device Package: SOT-363
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.10 грн |
| 15+ | 20.37 грн |
| 100+ | 12.92 грн |
| 500+ | 9.11 грн |
| 1000+ | 8.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DRDNB16W-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363, Resistors Included: R1 and R2, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Supplier Device Package: SOT-363, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V.
Інші пропозиції DRDNB16W-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DRDNB16W-7 | Diodes Incorporated |
Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr |
на замовлення 9566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DRDNB16W-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
на замовлення 9566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)