DS1220AB-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Supplier Device Package: 24-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 16Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AB-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 24-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 2K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel.
Інші пропозиції DS1220AB-100IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1220AB-100IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1220AB-100IND | DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1220AB-100IND+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1220AB-100IND |
|
Виробник: DALLAS
DIP-24 08+09+
DIP-24 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)