DS1220AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1532.05 грн |
| 14+ | 1350.20 грн |
| 28+ | 1317.53 грн |
| 56+ | 1206.00 грн |
| 112+ | 1175.91 грн |
| 252+ | 1141.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1220AB-200+ за ціною від 1139.74 грн до 1763.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1220AB-200+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DS1220AB-200+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-200+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DS1220AB-200 | Виробник : DALLAS | 07+ DIP |
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1220AB-200 | Виробник : DALLAS | 08+ DIP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1220AB-200 | Виробник : DALLAS | 09+ |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1220AB-200 | Виробник : DALLAS | 09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1220AB-200 | Виробник : DALLAS | DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DS1220AB-200+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DS1220AB-200+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DS1220AB-200+ | Виробник : Maxim |
EMOD 24/C°/RAM NV 16K-5% VTP 200NS LF DS1220 кількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |