
DS1220AD-100IND+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 1340.48 грн |
56+ | 1327.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-100IND+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1220AD-100IND+ за ціною від 916.79 грн до 1797.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND | Виробник : Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |