DS1220AD-100IND+ ANALOG DEVICES
Виробник: ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zugriffszeit: 100ns
usEccn: EAR99
Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 16Kbit
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1264.18 грн |
| 14+ | 1169.82 грн |
| 28+ | 1154.09 грн |
| 112+ | 927.7 грн |
| 252+ | 819.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-100IND+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Zugriffszeit: 100ns, usEccn: EAR99, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1220AD-100IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
MOD/E/16K NONVOLATILE SRAM DS1220 кількість в упаковці: 14 шт |
товар відсутній |
||
| DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
товар відсутній |
||
 |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim Integrated Products |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
|
 |
DS1220AD-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
DS1220AD-100IND | Виробник : Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
|
 |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |