Технічний опис DS1220Y100 DALLAS
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 2K x 8, Access Time: 100 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Supplier Device Package: 24-EDIP, Memory Format: NVSRAM, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 16Kbit, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), Packaging: Tube.
Інші пропозиції DS1220Y100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1220Y-100+ | Виробник : DALLAS |
 09+ |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-100 | Виробник : DALLAS | DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
DS1220Y-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2K x 8 Access Time: 100 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Supplier Device Package: 24-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 16Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
DS1220Y-100+ | Виробник : Maxim Integrated |
SRAM DS1220Y-100+ |
товару немає в наявності |