Технічний опис DS1220Y-120 DALLAS
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 16Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 24-DIP, Write Cycle Time - Word, Page: 120ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 2K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1220Y-120
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1220Y-120 | Виробник : DALLAS | 08+ DIP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-120+ | Виробник : DALLAS |
 09+ |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-120 | Виробник : DALLAS | 09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-120 | Виробник : DALLAS | DIP |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-120 | Виробник : DALLAS | DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1220Y-120+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-DIP Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |