DS1225AB-150IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2148.17 грн |
| 12+ | 1901.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AB-150IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-150IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 64Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM.
Інші пропозиції DS1225AB-150IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AB-150IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DS1225AB-150IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-150IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 64Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DS1225AB-150IND+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
DS1225AB-150IND+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| DS1225AB-150IND | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1225AB-150IND+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1225AB-150IND+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-150IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-150IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 64Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1225AB-150IND+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1225AB-150IND+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1225AB-150IND |
|
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)