DS1225AB-170+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 170ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 170 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2120.19 грн |
| 12+ | 1876.80 грн |
| 36+ | 1804.39 грн |
| 60+ | 1662.14 грн |
| 108+ | 1626.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AB-170+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-170+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 170 ns, EDIP, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 170, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0, Versorgungsspannung, min.: 4.75, Speichergröße: 64, Anzahl der Pins: 28, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 5.25, Betriebstemperatur, max.: 70, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DS1225AB-170+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AB-170+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DS1225AB-170+ | MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES |
Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-170+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 170 ns, EDIP Bauform - Speicherbaustein: EDIP MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 170 Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Versorgungsspannung, min.: 4.75 Speichergröße: 64 Anzahl der Pins: 28 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.25 Betriebstemperatur, max.: 70 Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1225AB-170+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1225AB-170+ |
|
Виробник: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES
Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-170+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 170 ns, EDIP
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 170
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Speichergröße: 64
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021)
Description: MAXIM INTEGRATED / ANALOG DEVICES - DS1225AB-170+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 170 ns, EDIP
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 170
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Speichergröße: 64
Anzahl der Pins: 28
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)