Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DS1225AB-70IND+ за ціною від 1569.53 грн до 2815.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1225AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1225AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1225AB-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 64Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 70ns Zugriffszeit für Lesen: 70ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DS1225AB-70IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
DS1225AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1225AB-70IND+ | Виробник : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225ABкількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DS1225AB-70IND+ | Виробник : Maxim/Dallas |
Статична пам'ять NVSRAM енергозалежна, Uживл, В = 4.75 V ~ 5.25 V, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 64 K, Орг. пам. = 8К х 8, Тдост/Частота = 70 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: DIP-28 Од. вим: шткількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
DS1225AB-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |




