DS1225AB-70IND+

DS1225AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


DS1225AB-DS1225AD.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1948.97 грн
12+1725.71 грн
36+1659.39 грн
60+1528.66 грн
108+1496.09 грн
252+1449.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1225AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 64Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 70ns, Zugriffszeit für Lesen: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DS1225AB-70IND+ за ціною від 1496.25 грн до 2121.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1225AB-70IND+ DS1225AB-70IND+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1225AB-DS1225AD.pdf NVRAM 64k Nonvolatile SRAM
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2121.45 грн
12+1922.91 грн
24+1606.91 грн
60+1577.35 грн
108+1543.24 грн
252+1496.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND Виробник : DALLAS DS1225AB-DS1225AD.pdf 09+
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND Виробник : DALLAS DS1225AB-DS1225AD.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND+ DS1225AB-70IND+
Код товару: 32830
Додати до обраних Обраний товар

DS1225AB-DS1225AD.pdf Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND+ DS1225AB-70IND+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 64kB, 8K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 64Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 70ns
Zugriffszeit für Lesen: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND+ DS1225AB-70IND+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1225ab-ds1225ad.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND+ Виробник : Maxim DS1225AB-DS1225AD.pdf 64K Nonvolatile SRAM DS1225AB
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1225AB-70IND DS1225AB-70IND Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1225AB-DS1225AD.pdf Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.